ترانزیستوری با سرعت ۱۰۰ برابر ترانزیستورهای معمولی در کشور تولید شد
- مرتضی عطایی نژاد
- |
- 28 دسامبر 2023
- |
- بدون دیدگاه
ترانزیستوری با سرعت 100 برابر ترانزیستورهای معمولی در کشور تولید شدReviewed by مرتضی عطایی نژاد on Dec 28Rating:
nپژوهشگران نانو الکترونیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی به کمک روشهای شبیه سازی موفق به ارائه نانو ترانزیستور جدیدی شدند که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستورهای معمولی دارد.
”
————————————-
n
n
nبه گزارش خبرگزاری مهر، مهندس مینا امیرمزلقانی از محققان این پروژه گفت: از آنجا که در زمینه ترانزیستورهای نانو متری دانش سایر کشورها به حد مطلوبی نرسیده است و بنیان علمی در این زمینه در کشور ما و سایر کشورها یکسان است، بنابراین فرصت بسیار مناسبی برای رقابت و پیشرفت در این زمینه وجود دارد.
n
nوی با اشاره به نحوه اجرای این پژوهش، ادامه داد: در این کار پژوهشی ترانزیستور جدیدی در ابعاد نانو متری (طول کانال ۷۵ نانومتر) ارائه شد که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستور معمولی "ماسفت" (ترانزیستور اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه هادی، MOSFET) دارد.
n
n
n
nامیرمزلقانی به کاربردهای این نانو ترانزیستور اشاره و خاطر نشان کرد: از این نانو ترانزیستور می توان در ساخت قطعات دیجیتالی بهره گرفت.
n
n
n
nاین محقق یادآور شد: برای انجام این کار ابتدا ترانزیستور FED را به کمک نرم افزار PISCES2B شبیه سازی و سپس در نرم افزار SPICE مدل سازی شد. در ادامه نیز مراحل مشابهی برای یک ترانزیستور "ماسفت" را در همان ابعاد انجام و نتایج با یکدیگر مقایسه کردیم.
n
n
n
nامیرمزلقانی با تاکید بر اینکه این کار پژوهشی در ایران در حد یک پروژه تحقیقاتی است اضافه کرد: ولی از سوی شرکتهای خارجی مورد استقبال قرار گرفته است که از آن جمله می توان به یک شرکت آلمانی اشاره کرد که برای استفاده از این ترانزیستور در الکترونیک صنعتی اعلام آمادگی کرده است.
‘
نظر خود را ثبت کنید !
